老美松口了！允许台积电、三星在大陆扩产，外媒：中方并不需要了

美国允许台积电、三星在大陆扩产，但中方需求已转向先进制程，成熟工艺扩产意义有限，三大厂商接受补贴可能性较低。美国修改法案的背景与内容美国此前通过《芯片与科学法案》，以520亿美元补贴吸引台积电、三星、SK海力士等国际半导体厂商赴美建厂，但附加苛刻条件，包括禁止在大陆建厂、分享超额利润、交出核心技术与经营数据等。这些“霸王条款”引发厂商强烈抵触，台积电甚至放弃补贴申请。近期，美国商务部修改法案细则，允许接受补贴的企业在大陆建设成熟工艺晶圆厂，试图缓和厂商损失，但分享利润和交出技术的要求仍未放宽。中方需求转向先进制程，成熟工艺扩产意义有限外媒认为，中方当前对半导体产业的需求已从成熟工艺转向先进制程（7nm至3nm）。台积电和三星虽渴望进入这一市场，但受美国禁令限制，无法向中企提供先进制程服务，在大陆建厂无法填补技术空白。与此同时，中方在成熟工艺（如28nm）领域的自给能力显著提升，扩产需求已大幅降低。此时允许台积电、三星在大陆扩产成熟工艺，被视为“为时已晚”，难以满足中方核心需求。三大厂商对补贴的观望态度尽管美国放宽了在大陆建厂的限制，但分享利润和交出技术的核心条款仍存，厂商接受补贴的意愿未显著增强。台积电、三星、SK海力士均保持观望，未急于申请补贴。原因包括：技术安全风险：交出核心技术可能削弱企业竞争力，甚至被美国企业利用。市场局限性：成熟工艺扩产无法匹配中方对先进制程的需求，订单增长空间有限。利润分配压力：分享超额利润的要求可能压缩企业盈利空间，抵消补贴吸引力。未来格局：中方自给能力提升，厂商扩产意义减弱中方在半导体领域的自主布局已取得显著进展：成熟工艺：28nm制程接近自给自足，扩产需求降低。先进制程：通过自主研发和政策支持，逐步突破技术瓶颈，减少对外部厂商依赖。外媒认为，即使台积电、三星在大陆扩产成熟工艺，也难以改变中方半导体产业自主化趋势，未来市场格局已基本定局。厂商接受补贴的可能性较低综合来看，美国修改法案的让步有限，而中方需求与厂商利益存在错配：技术限制：先进制程禁令未解除，厂商无法通过建厂获取核心市场。成本收益失衡：成熟工艺扩产的收益难以覆盖技术泄露和利润分配的风险。因此，台积电、三星、SK海力士大概率不会接受补贴，美国芯片战略的吸引力将持续下降。